产品概述
宝碳石墨为半导体行业提供高纯石墨治具和组件，服务晶圆制造、功率器件封装和先进材料加工。
我们拥有2002年至今的石墨加工经验，配备洁净室后处理设施，确保产品满足半导体行业的严苛洁净度要求。
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高纯半导体级石墨组件，适用于晶圆加工、烧结和CVD工艺。
宝碳石墨为半导体行业提供高纯石墨治具和组件，服务晶圆制造、功率器件封装和先进材料加工。
我们拥有2002年至今的石墨加工经验，配备洁净室后处理设施，确保产品满足半导体行业的严苛洁净度要求。
获取报价 →4-12英寸晶圆舟，可配SiC涂层。适用于扩散、氧化、LPCVD等工艺。
功率器件封装用石墨烧结模具。精度±0.01mm，表面光滑度佳。
CVD SiC涂层石墨件，纯度极高，不掉粉，耐腐蚀，适用于MOCVD和外延生长。
芯片封装用石墨载板、夹具、焊接托盘等。
| 参数 | 标准级 | 高纯级 |
|---|---|---|
| 灰分含量 | ≤200 ppm | ≤5 ppm |
| 密度 | 1.75-1.85 g/cm³ | 1.80-1.90 g/cm³ |
| 平均粒径 | 10-20 μm | 5-10 μm |
| 抗弯强度 | ≥40 MPa | ≥55 MPa |
| 加工精度 | ±0.02mm | ±0.01mm |
| SiC涂层 | 可选 | 标配（CVD） |
| 清洁等级 | Class 1000 | Class 100 |
扩散、氧化、退火、LPCVD工艺用晶圆承载治具。
IGBT、MOSFET等功率器件封装用烧结石墨模具。
MOCVD和外延生长用SiC涂层石墨托盘和基座。
半导体级石墨具有极低的灰分含量（≤5ppm）、更细的粒径和更高的纯度。配合SiC涂层使用，可最大限度减少加工过程中的颗粒污染。
SiC涂层（CVD工艺）在石墨表面形成致密的碳化硅层，具有极高的硬度、耐腐蚀性、抗氧化性，并可有效防止石墨颗粒脱落。
可以。接受STEP、IGES、DWG等格式的2D/3D图纸。我们有丰富的半导体治具加工经验，可提供设计优化建议。